Керамический подложка из высокопрядированной меди, алюминий, нитрид, ALN, для Модуль Пельтье и полупроводники

Приложение: Полупроводники, аэрокосмическая промышленность, электроника, медицина, вакуумная пайка
прочность на сжатие: 2300 миль/галлон
толщина покрытия: 8-30μm

Products Details

Основная Информация.

Модель №.
INC-DBC20310
слой покрытия
мн/мин
слой с покрытием
никель/медь/золото и т.д.
теплопроводность
25 вт/(м.к)
макс. температура использования
1600°c.
плотность
3,7 г/см3
состав материала
глинозем, al2o3
специальность
высокая изоляция
тип
керамика
Характеристики
индивидуальный
Торговая Марка
инновационное
Происхождение
Fujian, China

Описание Товара

Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
 
КЕРАМИЧЕСКАЯ подложка DBC/для электронных нагревательных приборов/Innovacera
DBC(Direct Bonded Copper)tenique обозначает особый процесс, при котором медная фольга и al2o3 или AlN (одна или обе стороны) напрямую связаны при соответствующей высокой температуре. Готовая сверхтонкая подложка DBC имеет превосходную электрическую изоляцию, высокую теплопроводность, Высокая прочность и прочность склеивания.она может быть структурирована просто облизать PCB для получения гравированной проводки и имеет высокую способность к загрузке curreng. Поэтому керамические подложки DBC стали основным материалом для обучения как конструкции, так и технологии соединения высокоэнергетических полупроводниковых электронных схем, а также имеют была основой для технологии "чип на бобах", которая в веках изменяет тенденции в области упаковки.
 
Функции DBC  
1.Высокая механическая прочность, механическая устойчивость формы;высокая прочность, высокая теплопроводность, отличная электрическая изоляция;хорошая адгезия, устойчивость к коррозии;  
2. Значительно улучшенные возможности термического цикла (до 50000 циклов), высокая надежность;
3.может быть структурирована так же, как печатные платы или подложки IMS для получения травленной проводки;  
4. Отсутствие загрязнения, экологически чистая;  
5.Температура нанесения: -55 ~ 850; коэффициент теплового расширения закрыт для кремния, поэтому производственные технологии силового модуля значительно упрощаются.
 
 
 
 
 
 
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
Свойства нитридной алюминиевой конструкции
 
 
 
 
Свойства
 
В Т. Ч. НА180
В Т. Ч.-AN200
В Т. Ч.-AN220
Цвет
 
Серый
Серый
Бежевый
Основное содержимое
 
96%ALN
96%ALN
97%ALN
Основные характеристики
 
Высокая теплопроводность, отличная плазменная устойчивость
 
 
Основные области применения
 
Детали, рассеивающие тепло, части, резистентные к плазме
 
 
Плотность сыпучих материалов
 
3.30
3.30
3.28
Поглощение воды
 
0.00
0.00
0.00
Твердость по Виккерсу (нагрузка 500 г)
 
10.00
9.50
9.00
Прочность на изгиб
 
>=350
>=325
>=280
Прочность на сжатие
 
2,500.00
2,500.00
-
Модуль упругости юного
 
320.00
320.00
320.00
Коэффициент Пуассона
 
0.24
0.24
0.24
Прочность на разрыв
 -
-
-
Линейное тепловое расширение коэффициента
40-400 градусов Цельсия
4.80
4.60
4.50
Теплопроводность
20 градусов Цельсия
180.00
200.00
220.00
Уд. нагрев
 
0.74
0.74
0.76
Термошокирующее сопротивление
 -
-
-
Volume Resisivity (Объемная удительность
20 градусов Цельсия
>=10-14
>=10-14
>=10-13
Диэлектрическая прочность
 
>=15
>=15
>=15
Диэлектрическая постоянная
1 МГц
9.00
8.80
8.60
Касательная потеря
*10-4
5.00
5.00
6.00
Примечание: Значение только для просмотра, различные условия использования будут иметь небольшое различие.
 
 
 
 
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
Direct Bond Copper Aluminum Nitride Aln Ceramic Substrate for for Peltier Module and Semiconductors
ОТПРАВИТЬ МНЕ
Если Вас заинтересовала наша продукция, пожалуйста, нажмите здесь, чтобы отправить мне запрос, и я ответу Вам в течение 8 часов

Свяжитесь с нами

Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже мы ответим вам в течение 24 часов